研究棟・セラミックス棟 装置

第1電子顕微鏡室

電界放出型電子顕微鏡(FE-TEM)

メーカー
日本電子
型 式
JEM-ARM200F
分解能
走査透過像0.08nm(加速電圧 200keV)
透過顕微鏡像0.19nm(加速電圧 200keV)
0.11nm(加速電圧 200keV、
結像系球面収差補正装置装着時)
倍率
走査透過像200~150,000,000 倍
透過顕微鏡像50~2,000,000 倍
電子銃ショットキー電界放出形電子銃

透過型電子顕微鏡(LaB6-TEM)

メーカー
日本電子
型 式
JEM-2000FXⅡ
加速電圧
80~200 keV
倍率(デジタル表示、フィルム上に記録)
標準倍率モード1,200~1,000,000倍 30ステップ
制限視野倍率モード5,000~50,000倍 22ステップ
極低倍率モード(Low MAG)50~1,000倍 14ステップ
電子回析カメラ長(デジタル表示、フィルム上に記録)
制限視野電子回折100~2500mm 15ステップ
高分散電子回折4~80m  14ステップ

プラズマクリーナー

メーカー
E.A. Fischione Instruments, Inc.
型 式
Model 1020S
スペック
High frequency (13.56 MHz) oscillating field

system coupled
to a quartz and stainless

steel plasma chamber
Ion energies less than 12eV
Compatible with TEM specimen holders for

FEI/Philips, Hitachi,JEOL, Zeiss/LEO,
and Topcon

第2電子顕微鏡室

ESR分光分析(電子スピン共鳴)

メーカー
日本電子
型 式
JES-FA300
磁場安定度
瞬時:1×10-6または0.3μT、
長期:5×10-6または1.5μT
磁場均一度
1×10-5/effective sample volume
磁場掃引時間
0.1s~12h
磁極間隙
75mm
磁極径(根元)
360mm
磁極径(先端)
300mm
最大磁場強度
1.4T

フーリエ変換赤外分光光度計

メーカー
日本分光
型 式
FT/IR-670Plus
測定波数範囲
7800~350cm-1
最高波数分解
0.25cm-1
S/N比
25000:1
測定温度
10K-300K

紫外・可視光吸収分光装置

メーカー
日本分光
型 式
Ubest V-570
光 学 系
ツェルニターナマウント
シングルモノクロダブルビーム方式
光源
重水素放電管 タングステンヨウ素ランプ
光源切り換え波長
330~350nmの間で選択可
波長範囲
190~2500nm
波長繰り返し精度
±0.1nm
波長正確さ
±0.3nm
スペクトルバンド幅
0.1、0.2、0.5、1、2、5、10nm
迷光
0.015%T

第1化学実験室

電解研磨装置

メーカー
Struers Inc.
型 式
Tenupol-3、5
Control unit
Mains voltageSingle-phase, 100-120V, 50-60 Hz.
Power consumption110-120V / 3.15A
Output0-100V / 0-2A
Polishing unit
Sizes of original12-21 mm dia., max. 1 mm thick
specimen3 mm dia., max. 0.5 mm thick
2.3 mm dia., max. 0.5 mm thick

3次元アトムプローブ用試料作製電解研磨装置

メーカー
(自作)
型 式
(自作)
備考
直流電源(0-20V)
ホット試料を研磨可能(ドラフト内に設置) 

昇温脱離試験装置(TDS)

メーカー
アールデック
型 式
TDS-23-1.6
試験温度
室温~1000℃
温調
チノーKP1000
Qmass
MKS
Microvision plus
1-6 amu
Microvision2
1-100 amu
イオン銃
アールデック製 0.1-3 kV 可変
X,Y 20mm スキャン
対応試料形状
Φ3mmTEMディスク、約10×10 mm 板
最高到達真空度
1×10-6Pa

走査プローブ顕微鏡

メーカー
セイコーE/G
型 式
SⅡ-SPA400
 
AFMモード
試料台
Φ20 mm
スキャナ2種
面内100μm 垂直5μm
面内20μm 垂直1.5μm
試料形状
長辺35mm以下、厚さ8mm以下

第2化学実験室

3次元アトムプローブ

メーカー
CAMACA
型 式
LEAP-3000XHR
仕様
レーザーパルス補助付、局所電極型
UVレーザーパルスモードおよび電圧パルスモード
 
測定温度
最低10Kまで
パルス周波数
最大500kHz

走査イオン顕微鏡(FIB)シングルビーム

メーカー
セイコーEG&G
型 式
SⅡ SMI2050W
仕様
Cデポジション
 マイクロサンプリング付属
イオン加速電圧
最大30kV

走査型電子顕微鏡付FIB デュアルビーム

メーカー
 
型 式
FEI Quanta 200 3D
仕様
走査型電子顕微鏡付、EBSD付
SIM加速電圧
最大30kV
SEM加速電圧
最大30kV
備考
マニピュレータ付き
C、Ptデポジション可能
ピックアップ用オムニプローブ付き 

ジェントルミル

メーカー
日本フィジテック
型 式
IV-5
イオンエネルギー
100~2,000eV
フォーカス、バイアス、カソード
可変式
イオン電流
50μA以上
レート(Si、入射角:30°)
2.5μm/h@500eV
28μm/h@2,000eV
試料サイズ
3mmΦメッシュ
試料回転機能
スピード可変
試料反復機能
0~120°、スピード可変

ビッカース微小硬さ試験機

メーカー
島津製作所
型 式
HMV-2
試験力
0.098~19.6N自動切換 9種類
試験力保持時間
5~999秒
圧 子
ダイヤモンドビッカース圧子 対面角136°
レンズ倍率
総合400倍(対物40倍、接眼10倍)
有効測定範囲
250μm(400倍時)
分解能
0.01μm(400倍時)

ポジトロン室

陽電子寿命測定装置

メーカー
(自作)
型 式
(自作)
線源
22Na
カウントレート
15/sec
測定温度
室温
時間分解能
170ps

陽電子消滅ドップラー広がり測定装置

メーカー
(自作)
型 式
(自作)
線源
22Na
カウントレート
100/sec
測定温度
室温
エネルギー分解能
1keV

ナノインデンター

メーカー
エリオニクス
型 式
ENT-1100a
荷重範囲
19μN~980mN
荷重制御
電磁力式制御
測定範囲
0~20μm
測定分解能
0.3nm
測定方式
静電容量変位計
最大試料サイズ
Φ50×3.5mm
測定位置決め精度
±2μm
除振方式
高精度ばね防振台(0.5Hz~)

加速器室

エネルギー可変陽電子ビーム

メーカー
(自作)
型 式
(自作)
陽電子加速電圧
0-30kV
測定温度
10K-300K
同時計数ドップラー拡がり測定
エネルギー分解能~1.1keV

 

セラミックス棟

角相関室以外は非管理区域 コールド試料のみ

角相関室

陽電子消滅2次元角相関測定装置

仕  様
アンガーカメラ式
使用目的
微小欠陥・微小析出物の観察

レーザーマーキング室

YAG  レーザーマーカー

仕  様
富士電機:DW5200
使用目的
照射試料のマーキング

実験室1

超高温材料試験機・熱処理装置

仕  様
インストロン:10トン
高周波加熱:2000℃まで 2×10-4Pa
使用目的
超高温領域の静的引張・圧縮 

3点曲げ試験、真空熱処理

サーボ・パルサー

仕  様
島津製作所 容量:5トン、77~1000K
使用目的
静的及び動的引張試験
(引張・3点曲げ試験・破壊靱性試験(K,J試験)

実験室2

高速自動精密研磨機

仕  様
リファインテック
試料ホルダー:最大90mmφ
使用目的
試料の高速研磨

引張圧縮試験機

仕  様
(株)インテスコ   最大:200kg
使用目的
ミニサイズ専用引張・圧縮

実験設備 研究課題申請大洗における宿泊施設
平成30年度 共同利⽤予定表